Власти сообщили о необходимости дополнительных 30 миллиардов рублей для развития электроники

Инициатива по импортозамещению в области электронного машиностроения находится под угрозой срыва из-за нехватки финансирования. Заместитель министра промышленности Василий Шпак сообщил, что для ее реализации требуется дополнительно 33,1 миллиарда рублей, как передает CNews. С 2024 года программа стала недополучать значительные суммы из бюджета, и к концу года наблюдается задержка в запуске множества проектов.

Согласно данным министерства, общий объем необходимого финансирования с учетом прошлых недофинансирований составляет 123,9 миллиарда рублей. При этом запланированные затраты на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР), включая электронное машиностроение, на 2026-2028 годы составляют лишь 90,8 миллиарда рублей. По прогнозам ведомства, к концу года сроки начала научных разработок будут нарушены по 60 направлениям. Шпак отметил, что проблема заключается не только в недостатке средств, но и в нехватке квалифицированных специалистов, а также высокой нагрузке на предприятия.

В 2024 году на программу планировалось выделить 43,3 миллиарда рублей, однако фактически было потрачено почти в два раза меньше – 23,7 миллиарда. В 2025 году ситуация усугубилась: при запланированных 40 миллиардах рублей фактические расходы составили лишь 15,7 миллиарда.

По словам Якова Петренко, главы департамента электронного машиностроения МНТЦ МИЭТ, в России используется не менее 400 моделей оборудования для производства микроэлектроники. В лучшем случае лишь около 12% из них возможно производить на территории страны. Программа развития электронного машиностроения предполагает к 2030 году сократить зависимость от импорта примерно на 70% — для этого запланирован запуск 110 проектов. По информации Минпромторга, на реализацию программы до 2030 года выделено свыше 240 миллиардов рублей. В проекте участвует более 50 организаций: уже начаты 67 проектов, а еще 43 должны стартовать в 2025-2026 годах. В рамках программы предполагается создание оборудования для производства микроэлектроники (180 до 28 нм), разработка технологий для СВЧ-электроники, фотоники, силовой электроники, фотошаблонов и сборки электронных компонентов, а также освоение технологии выращивания нескольких слоев полупроводников на одной подложке.